ROHM présente le TSC3PAK pour un refroidissement amélioré des MOSFET SiC

ROHM Co., Ltd. a dévoilé son nouveau boîtier TSC3PAK pour MOSFET SiC, intégrant une structure de refroidissement sur le dessus pour une meilleure dissipation thermique. Cette innovation offre des performances équivalentes à celles des boîtiers traversants classiques comme le TO-247-4L, tout en facilitant le montage automatisé. Cette technologie améliore l'efficacité des circuits de conversion de puissance pour véhicules électriques.

Le TSC3PAK supporte une tension de crête alternative de 1 200 V et conserve une longue distance de fuite de 6,66 mm, essentielle en environnement de classe de pollution 2. Les MOSFET SiC de 4e génération de ROHM sont intégrés au boîtier, optimisant la résistance à l'état passant et la vitesse de commutation afin de minimiser les pertes de conversion de puissance.

Adapté aux applications automobiles et industrielles, la production en série du TSC3PAK a débuté en juin 2026, marquant une avancée majeure dans la technologie des dispositifs de puissance conçus pour améliorer les performances et l'efficacité énergétique des véhicules électriques.