ROHM Semiconductor collabore avec AIXTRON pour la production de circuits intégrés GaN pour l'alimentation

Le 8 juin 2026, AIXTRON SE, acteur majeur des équipements de dépôt de semi-conducteurs, a annoncé sa collaboration stratégique avec ROHM Semiconductor. Ce partenariat permettra à ROHM d'accroître sa production interne de dispositifs de puissance en nitrure de gallium (GaN) grâce à la plateforme G10-GaN d'AIXTRON, sur son site de Hamamatsu au Japon. Cette initiative facilitera la production en série de plaquettes épitaxiales GaN de 8 pouces, renforçant ainsi les capacités de ROHM dans le domaine des dispositifs de puissance 650 V et 100 V.

La gamme EcoGaN™ de ROHM, conçue pour les applications à forte croissance telles que les centres de données d'IA et les groupes motopropulseurs de véhicules électriques, privilégie une densité de puissance élevée et une gestion thermique optimisée. En internalisant l'épitaxie du GaN, ROHM réduit sa dépendance aux fonderies externes, ce qui lui permet de mieux maîtriser la qualité des plaquettes et les délais de production.

Les deux entreprises soulignent que leur collaboration est axée sur l'optimisation des processus et l'harmonisation technologique, renforçant ainsi la compétitivité de ROHM sur les marchés en pleine expansion de l'IA et de l'automobile. Le secteur des dispositifs de puissance GaN devrait représenter environ 3 milliards de dollars américains d'ici 2030, assurant à ROHM un succès durable.