AIXTRON atteint sa 100e livraison de systèmes G10-SiC

AIXTRON SE a annoncé la livraison réussie de son 100e système G10-SiC, marquant ainsi une étape importante. Cette réussite témoigne de la demande croissante pour la technologie d'épitaxie par lots G10-SiC d'AIXTRON, essentielle à la production de composants de puissance en carbure de silicium. Ces livraisons ont permis d'accroître la capacité de production d'épitaxie SiC de 200 mm d'un fabricant européen de composants de puissance.

La technologie SiC Planetary Reactor® d'AIXTRON est largement adoptée à l'échelle mondiale, permettant la production de matériaux en carbure de silicium de haute qualité. Trois ans seulement après son lancement, la plateforme G10-SiC est largement utilisée par les principaux fabricants de dispositifs SiC, renforçant ainsi la position de l'entreprise sur le marché de l'électronique en carbure de silicium. Grâce à son efficacité et à ses performances, cette technologie est utile à divers secteurs, notamment les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable.